上游迎史上最強議價權、中游啖庫存紅利…

AI需求帶動全球記憶體產業供需出現巨變，也連帶讓擁有完整且成熟製程的台廠同步受惠。預期上半年仍維持暢旺，下半年則須留意中國產能開出，以及報價出現不漲反跌的風險。

撰文‧陳唯泰


▲法人看好旺宏其低容量記憶體eMMC領域的結構性缺貨優勢，帶動近期股價大幅上揚。圖為董事長吳敏求。旺宏提供
延續去年的強勁氣勢，今年第一季全球記憶體市場並未出現傳統淡季，反而因AI伺服器需求造成的結構性擠壓，陷入史無前例的供應荒。這場由HB（高頻寬記憶體）引發的連鎖M反應，正讓台灣記憶體供應鏈從上游顆粒、中游模組到下游IC設計，全線進入淡季不淡的獲利爆發期。

首先，AI龍頭輝達（NVIDIA）今年將推出新一代伺服器架構「Vera Rubin」，再次推升記憶體需求。執行長黃仁勳曾公開表示：「HBM產能有多少，我就要多少。」這種不計代價的掃貨方式，正加劇產業供需失衡。

技術推進方面，三星於今年第一季宣布量產十二層HBM4，並已通過輝達下一代Vera Rubin平台的供應認證。在測試中，其速度與功耗表現均優於預期。雖然SK海力士在HBM3E領先，但在HBM4量產時程上，正與三星形成正面交鋒。

韓廠罷工危機、陸現貨一日數價

同時間，美光也傳出捷報，於三月十二日宣布今年全年HBM4產能已全數被客戶預訂。當大廠的產能完全被HBM4占滿後，原本生產DDR4、DDR5的晶圓空間被嚴重排擠，使得供給缺口持續擴大。

屋漏偏逢連夜雨，船遲又遇頂頭風──在需求緊俏之際，韓國記憶體大廠工會竟展開罷工投票，市場預期供貨將更為短缺，也使得三月報價漲幅遠超市場預期。

合約價方面，三月中旬DRAM與NAND Flash合約價較去年第四季飆漲八至九成，部分PC記憶體漲幅甚至突破一倍。在現貨市場，中國華強北進入「一日多次更新報價」的極端模式，更有市場傳聞指出，一百條伺服器級DDR5的價格，已相當於一間上海房產的頭期款，顯示市場恐慌性囤貨已達臨界點。

雖然台灣廠商沒直接生產HBM，但在這波超級週期中，憑藉產能挪移與客製化技術等優勢，反成為最大贏家。

以記憶體顆粒廠為例，南亞科（二四○八）與華邦電（二三四四）擁有的成熟製程產能，成為市場關鍵資源。這兩家公司於三月接獲大量來自工控、車用及消費性電子的轉單，議價權已來到歷史高點。此外，力積電（六七七○）與旺宏（二三三七）也因AI基礎建設帶動的特殊規格需求，看好後續市場表現。

模組廠部分，也受惠於合約價與現貨價同步飆漲，擁有大量低價庫存者將展現驚人獲利能力。法人預估，包括威剛（三二六○）、十銓（四九六七）、宇瞻（八二七一）等公司三月營收，有望再創新高，使第一季獲利成長極為顯著，第二季甚至有機會淡季不淡。

下半年留意中國產能開出

台灣記憶體IC設計公司則正歷經轉型，從過去的報價追隨者變成AI規格的定義者。簡單來說，台系IC設計廠不再只是賣零件，而是協助客戶在記憶體極度短缺的環境下，透過設計優化維持系統運算效能，突破瓶頸。

例如群聯，主要業務除了記憶體模組，還有NAND控制晶片與儲存。在AI與雲端資料中心需求帶動下，NAND三月合約價調漲約五成，目前已有多家雲端服務商（CSP）與群聯合作，群聯也成功切入Tier-1CSP、伺服器及大型AI資料中心。

雖然目前記憶體產業前景亮麗，但下半年仍須留意中國產能的開出。市場樂觀預期長鑫存儲將在下半年投產，透過良率提升，其對市場的顯著衝擊可能延後至二○二七年。不過若裝機速度較原先預期提前，報價在今年下半年便可能開始承壓。因此，投資人在布局記憶體族群時，仍須密切觀察市場報價，一旦漲勢停滯，持股便須適度調整。
（本文作者為證券分析師，現為仲英財富投資長）

…本文摘錄自 今周刊 2026/3月 第1526期