賣方說了算!記憶體荒引爆

三大原廠配額制成新常態 下游成本暴漲壓力浮現

賣方說了算!記憶體荒引爆


記憶體正經歷史無前例的供需失衡,AI投資狂潮引爆全面缺貨,從高階往傳統記憶體蔓延,終端品牌面臨漲價壓力;南亞科與華邦電成為受惠者。

文 ● 周佳蓉


▲美光擴大資本支出、退出消費市場,為記憶體市場拋出震撼彈 組合照片

記憶體產業過去以來,從來不是獲利穩定創高的代表,而是高度循環、對景氣極度敏感,一直是這個產業的宿命;然而,近期這一輪走勢卻明顯違反常態。記憶體大廠財報陸續出爐之後,主要記憶體原廠美光(Mircon),甚至HDD龍頭希捷(Segate)、威騰電子(Western Digital)依序創下歷史新高,可看到市場即使沒有等到終端全面復甦,股價卻已經先行。

所有記憶體都缺貨

記憶體在AI的應用並非只集中在HBM。從架構來看主要有:HBM、DDR和LPDDR。HBM提供高頻寬,用於大型AI訓練,但成本高且技術難度大;DDR則以較低成本提供大容量,適合通用運算,但頻寬效率較低;LPDDR強調低功耗與經濟性,原本只應用於行動裝置,近年已有ASIC晶片導入,例如Meta自研的「MTIA」系列選用了LPDDR5。因此在AI應用中,不同類型記憶體因特性不同各有其用途。

過去一、兩年,市場對記憶體的焦點都放在HBM,彷彿供需是否吃緊只取決於AI伺服器,由於疫情期間高庫存衝擊後,許多大廠記取教訓,擴廠及庫存管理更謹慎,也為日後的供不應求埋下伏筆。

表面來看,第三季以來DRAM、NAND Flash到備受追捧的HBM全面上漲,進入第四季後漲勢更加猛烈,真正的震央卻發生在上半年,三大原廠美光、海力士、三星幾乎同一時間做出縮產、甚至停產DDR4與LPDDR4的決策,這波缺貨的原因,除了景氣回升和補庫存的需求上揚,正是源於AI投資急劇增加、原廠產能調整及品牌客戶提前備貨等因素共同導致。

時光快轉到十月,三星搶先暫停DDR5報價,隨後海力士、美光很快跟進,外資摩根士丹利直指:這是一場世代級的供需錯配。在CSP大廠擴大資本支出與資料中心需求的推動下,NAND與DRAM兩者的供需循環已高度同步,形成全年缺貨、價格高檔、產能配置策略化的環境。大摩觀察,DDR5甚至出現「有錢也買不到」的狀態,供應全面向雲端與大型客戶集中,其餘市場被迫邊緣化,尤其「配額制」原本只在疫情期間短暫出現,如今卻成為國際原廠的新常態。

美光最新第一季財報繳出超越市場預期的成績,更投下一顆震撼彈:「HBM供應吃緊,二六年產能已全數售罄」。不僅上調明年度資本支出至二○○億美元,投資重心全面轉向HBM與先進DRAM製程,更進一步宣布退出消費性記憶體,逐步讓旗下Crucial品牌淡出消費市場。這舉動明確宣告:在AI需求全面引爆之下,有限的產能只會流向毛利最高、需求最穩定的應用場景。新產能擴建的急迫性也讓市場傳出,繼Sandisk之後,美光也開始向記憶體封測廠力積電(6770)洽談代工合作,激勵力積電股價大漲,隨著供給轉向,記憶體模組廠亦可望承接美光在消費領域釋出的市占,對毛利帶來正向影響。


傳統硬碟HDD重獲新生

還有一個被市場忽略許久的傳統機械式硬碟(HDD),過去被視為夕陽產品,在AI世代反而重新成為儲存的關鍵,雲端服務商對高容量、低成本長期儲存的需求大幅增加,使HDD在AI影像、冷資料保存等應用中重新取得戰略地位,主要供應商威騰與希捷今年來股價都分別大漲三倍以上,威騰最新財報顯示,HDD需求中已有接近九成來自雲端服務供應商客戶;希捷亦持續提升單顆硬碟容量與讀取效率,反映整個儲存體系正同步進入緊縮狀態。

不過,大容量HDD嚴重供不應求, CSP業者紛紛轉向NAND Flash尋求解方,其中QLC技術能以更低的成本儲存更多資料,供應商也因此積極擴大四層單元儲存固態硬碟(QLC SSD)的產出,除了AI推論應用之外,NAND Flash供應商為了擴大在AI市占率,試圖提供比HBM更具成本效益的解決方案,其中,以Sandisk主導的「HBM與HBF結合的混合式設計」、三星和愷俠,則採用SCM(儲存級記憶體)XL-Flash和Z-NAND等技術。

由於NAND透過3D堆疊技術的演進,較HDD能更快速提升產能,如今邁向三○○層以上堆疊製程,TrendForce預估2Tb QLC晶片的產出將在二六年放量,成為降低記憶體成本的主力。


價格壓力勢必傳導終端

設備端的數據,進一步驗證這並非短期失衡。SEMI近期再度上修全球晶圓廠前段設備(WFE)銷售預估,二五年將達一一五七億美元,邏輯晶片和微裝置是未來三年設備擴張的主軸,總投資額合計將達一七五○億美元、記憶體領域的支出則高達一三六○億美元位居第二;SEMI進一步提到,二六~二八年當中投資額,DRAM為七九○億美元,3D NAND為五六○億美元。而前段設備投資代表的是至少二到三年的供需判斷,意味著即便現在開始大幅投資,也無法在短期內解除缺貨問題。

當供給端全面吃緊,價格壓力最終勢必傳導至終端。據了解,傳統P C產品的物料清單中,NAND/DRAM的合計成本占比約二○%;高階、更重視性能的AI PC,占比將高達二五%以上,原本應用於P C及手機的傳統記憶體產能遭到強大排擠,供貨已明顯縮減,未來下游廠商仍將持續面對記憶體成本上揚壓力。

戴爾營運長直言「從未見過記憶體成本上漲得如此之快」,對此,品牌大廠戴爾、惠普、聯想已陸續釋出漲價訊號,調幅達雙位數,部分的機型調幅更高達三○%,歷史經驗顯示,在過去幾輪記憶體上行周期中,即便硬體廠調高售價,仍難以完全轉嫁成本,毛利率往往遭到侵蝕,大摩示警,通常OEM廠會在成本上升後六~十二個月面臨毛利率下滑,這也是為何外資近期下調多家硬體公司評級的主因。

南亞科、華邦電各自出招

回到台灣產業鏈,在三大原廠快速退出DDR4與DDR3產能,但市場的基礎需求並未消失,形成明顯供給缺口,結構性缺貨反而帶來機會,DDR4在許多舊系統、工業電腦,以及特定的消費電子產品中,仍是不可或缺且相對經濟的選擇,南亞科(2408)與華邦電(2344)因此成為承接缺口的重要角色,客戶甚至開始要求簽訂多年期、甚至長達六年的長約。

南亞科的產品集中在工業、特殊應用及部分標準型DRAM在少數擁有DDR5製造能力的台廠,但良率爬坡的狀況一直相當辛苦,面對缺貨潮,南亞科產線稼動率已接近滿載,因此採取雙軌策略:短期持續擴大DDR4與LPDDR4銷售以滿足急迫需求,同時提升DDR5量產占比,二五年位元銷售量上調至五○%,長期布局方面,十奈米新廠則預計二七年第二季開始裝機,但從現階段資本支出來看全年約一六○億元,較董事會核准上限一九六億元還低,仍然較為謹慎。

華邦電在十月董事會宣布核准提高資本支出,重新啟動大規模擴產,從今年的七三億元,明、後兩年約四○○億元,投資額大幅增加。公司表示,因為DDR4無法使用最先進的製程來製造,就算加速進度,新產能也要到明年第三、第四季度才會有所產出。未來可持續關注華邦電在先進技術領域耕耘許久的Cube製程,以及Hybrid Bonding(混合鍵合)、TSV(矽穿孔)製程技術的開發,為未來的新獲利引擎。

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