結構性缺貨重塑記憶體產業戰

ＡＩ伺服器推升HBM與高容量DRAM需求，國際記憶體廠雖加速擴產，但產能仍落後需求。南亞科受惠DRAM報價大幅上升；華邦電則憑藉利基型承接商機。

文●呂泰德

大型語言模型正由集中訓練走向大規模推論，資料中心擴充的已不只是ＧＰＵ或其他ＡＩ加速器，而是涵蓋HBM、伺服器DDR5、低功耗記憶體與企業級ＳＳＤ的完整記憶體及儲存架構。貼近運算核心的ＨＢＭ負責高速傳送模型資料，DDR5與SOCAMM等低功耗記憶體支撐ＣＰＵ端的系統運作、資料前處理，企業級ＳＳＤ則承接模型權重、資料集、向量資料庫與持久化KVCache等容量需求。美光於近期指出，單台伺服器的記憶體容量在過去三年間增加一倍，隨著ＡＩ推論複雜度，系統效能愈來愈受到記憶體頻寬與容量影響，不再僅由運算晶片效能決定。


▲AI推論帶動記憶體升級，DDR5與企業級SSD擴容，台廠迎來報價與利基成長。達志
ＡＩ效應拉長供給缺口

三星電子（005930.KS）於二○二六年二月宣布HBM4進入量產並展開商業出貨，採用第六代十奈米級1cDRAM及四奈米邏輯基礎裸晶，五月再向主要客戶提供十二層HBM4E樣品；美光則推進針對Nvidia Vera Rubin平台設計的36GB、十二層HBM4，單一堆疊頻寬超過每秒二．八ＴＢ，並同步布局SOCAMM2及PCIeGen6資料中心ＳＳＤ。三星、ＳＫ海力士與美光在HBM4世代的競爭，已由過去著重單顆DRAM成本，升級為先進製程、堆疊技術、邏輯基礎裸晶、封裝、功耗、散熱與客戶認證能力的全面競賽。

更重要的是，HBM、高容量伺服器DDR5及低功耗伺服器記憶體，均會競逐先進DRAM晶圓、EUV設備、研發人力、測試與後段封裝資源。當記憶體大廠優先將先進DRAM產能配置於HBM及高容量伺服器產品時，不僅高階記憶體供應維持緊張，也可能限制部分標準型或成熟規格DRAM的供給增幅。企業級ＳＳＤ雖然主要使用NAND Flash，並不直接占用相同的DRAM晶圓，但同樣會競逐資本支出、先進控制器、研發及資料中心客戶資源。美光（MU.US）二六年第三季營收達四一四．六億美元，高於前一季的二三八．六億美元，並預估下一季非GAAP毛利率約八六％，反映ＡＩ需求、供給受限與高附加價值產品組合正大幅提高記憶體的獲利能力。

ＡＩ伺服器除了加速器，仍須仰賴ＣＰＵ負責作業系統、資料前處理、網路與儲存管理、服務調度及部分推論流程，因此系統DRAM容量也隨之提高。美光已向伺服器生態系提供256GB DDR5RDIMM樣品，最高速度可達九二○○MT/s，採用３ＤＳ堆疊與ＴＳＶ技術整合多顆DRAM晶粒；單一256GB模組相較二條128GB模組，可降低超過四○％的運行功耗。這顯示即使伺服器出貨台數未成倍成長，每台設備搭載的記憶體容量、頻寬與單位價值仍可持續提高，記憶體位元需求因而不再只由終端設備台數決定。

另一方面，大型模型在訓練階段需要讀取龐大資料集，進入推論後仍須存放模型權重、向量資料庫、檢索資料及持久化KVCache，資料中心不可能將所有資料長期放在成本較高的HBM或DRAM中，因此必須依靠企業級ＳＳＤ承接大容量儲存。美光九六五○為商用PCIe Gen6資料中心ＳＳＤ，循序讀取效能最高可達PCIe Gen5產品的近二倍；另一款六六○○ION則將ＳＳＤ容量提高至245TB。兩項產品分別強化效能與容量，顯示ＡＩ資料管線的升級已從ＧＰＵ與記憶體，進一步延伸至企業級儲存設備。



報價勁揚獲利增漲

記憶體產業具有固定成本高、價格循環明顯的特性。當產能利用率已處高檔、位元出貨量變化有限時，平均銷售價格上升，會增加毛利與獲利。南亞科（2408）二六年第二季營收達八二五．四九億元，較第一季增加六八．二％；DRAM平均銷售價格季增超過六○％，位元出貨量則與前一季大致持平。在價格上漲與產品組合改善帶動下，毛利率由第一季的六七．九％提高至七九．五％。換言之，南亞科第二季獲利跳升的主要動能是供給受限、報價上漲與高附加價值產品比重提高，創造出更高營收與利潤。

這波記憶體價格上漲是ＡＩ帶動記憶體供需結構重整的延續。南亞科二六年第一季DRAM平均銷售價格已季增超過七○％，顯示DRAM市場供需緊俏與定價能力仍持續改善。隨著三星、ＳＫ海力士與美光持續將先進DRAM產能優先配置於HBM、高容量伺服器DDR5及其他ＡＩ記憶體產品，部分標準型DRAM的供給增幅受到限制，市場供應緊張也逐步由現貨價格反映至原廠與客戶重新議定的合約價格。然而，記憶體價格循環仍具有高度波動性，後續獲利能否延續，仍須持續觀察新增產能開出速度、客戶庫存調整、產品組合優化及終端ＡＩ需求變化等因素。

報價回升之外，產品組合改善也持續提升南亞科的獲利品質。公司二○二六年上半年來自ＡＩ基礎設施與伺服器應用的營收占比已超過二○％，產品涵蓋DDR5、LPDDR5/5X、DDR4、LPDDR4/4X及其他記憶體產品。雖然南亞科並非ＨＢＭ主要供應商，但ＡＩ伺服器仍需要大量系統DRAM，而AI PC、AI手機及邊緣ＡＩ裝置也持續推升單機記憶體容量需求。在全球記憶體大廠優先配置先進DRAM產能至ＨＢＭ及高容量伺服器產品之際，南亞科有機會同步受惠於ＡＩ伺服器容量升級，以及部分標準型DRAM供給增幅受限所帶來的市場機會。展望後續，南亞科規畫新廠第一階段於二八年達到每月三萬片晶圓產能，最終擴充至每月四．五萬片，完整產能投資約四八○○億元。



利基產品接棒成長

當HBM、伺服器DDR5與企業級ＳＳＤ率先吸走全球記憶體產業的資本、先進製程與研發人力，市場下一步要問的是利基型記憶體將由誰承接。所謂利基產品，並不代表技術落後或市場價值低，而是需求規模不如手機、個人電腦或ＡＩ伺服器龐大，卻具有規格分散、產品生命週期長、驗證門檻高，以及客戶不願輕易更換供應商等特色。其中，車用控制器、工業設備、基地台、交換器、智慧電表、醫療器材與各類嵌入式系統，必須在高低溫、長時間運轉與多年供貨條件下維持穩定。因此，成熟產品重點在於能否持續供應、維持品質，並協助客戶完成漫長的設計與驗證程序。過去國際記憶體大廠願意同時經營高階與成熟市場，是因為消費電子需求龐大，可以透過規模經濟攤提晶圓成本；但當ＡＩ客戶願意為ＨＢＭ、伺服器DRAM及高容量儲存支付更高價格，晶圓、設備與工程資源的機會成本便隨之上升。

華邦電（2344）近年持續深化客製化記憶體、NOR Flash及SLC NAND布局。二五年快閃記憶體占全年營收三五％，客製化記憶體占二九％；終端應用則分布於消費電子二九％、車用與工業二七％、通訊二四％及電腦二○％。進入二六年第一季，客製化記憶體營收比重提高至四七％，快閃記憶體占三二％，在二○奈米產品放量、產品組合優化及市場需求成長帶動下，營收較去年同期大幅成長，車用與工業應用占記憶體營收三○％，顯示利基型產品的成長動能，已由單純受惠報價回升，逐步轉向規格升級與高價值應用驅動。

旺宏（2337）是台灣利基型非揮發性記憶體的重要供應商，產品涵蓋Serial NOR、Parallel NOR、SLC NAND、Serial NAND、eMMC及ROM，應用範圍包括車用、工業、通訊、物聯網、安全防護與耐高溫環境。這些市場重視可靠度、長期供貨、產品驗證與多規格支援，與大量消費性記憶體單純追求成本及容量的競爭模式不同。旺宏二六年六月合併營收六九．五六億元、月增十一．二％、年增二一六．一％；上半年累計營收二九五．九三億元、年增一二八．八％。

隨著中國DRAM與NAND業者仍持續擴充產能，若後續設備到位、製程良率與產品認證進展順利，部分標準型產品仍可能重新面臨價格競爭。其中，兆易創新（603986.SH）先前已在官方風險公告中指出，利基型儲存產品價格處於歷史高位，未來價格可能回落；同時，公司採無晶圓廠模式，在利基型記憶體供應吃緊時，仍面臨合作晶圓廠產能不足的風險。若兆易創新在利基型DRAM與NOR Flash價格動能放緩，華邦電、旺宏及部分南亞科產品也可能面臨報價漲幅收斂；反之，若供給仍受限，台廠的長期供貨與高可靠度產品將繼續具備議價空間。

… 本文摘錄自 先探投資週刊 2026/7月 第2414期